OLED 为什么必须在蒸镀时完成图形对准
OLED 有机材料沉积后不适合再用常规刻蚀方式完成 RGB 像素图形，因此量产蒸镀会让材料通过精细金属掩膜（FMM）开口落到 TFT 基板的指定位置。掩膜和基板的相对位置，直接决定发光材料是否落在正确的子像素区域。
Canon Tokki 对其量产系统的说明显示：相机读取金属掩膜与玻璃基板的位置，再由机构精确控制两者关系；System-ELVESS 公布的典型 Mask Alignment 规格为 ±3 μm。
这不是普通平面贴合
OLED 掩膜对准至少有四个额外约束：
- 真空环境：光学、运动、线缆和润滑方案必须兼容真空。
- 大尺寸薄片：玻璃基板与金属掩膜都可能产生重力下垂和夹持变形。
- 热环境：蒸镀源和连续运行带来温升，材料热膨胀会改变像素 Pitch。
- 近接间隙：掩膜与基板间距影响 Shadow 与沉积位置，但过近又增加刮伤与颗粒风险。
从双 Mark 到全局 Map
只用两点可以解算 X、Y、θ，但无法识别掩膜倍率变化、非正交和局部形变。高精度系统通常会采集多个 Mark，建立从掩膜坐标到基板坐标的拟合模型。
| 模型层级 | 可补偿误差 | 不能解决的问题 |
|---|---|---|
| 刚体 XYθ | 平移、旋转 | 倍率、剪切、局部形变 |
| 仿射模型 | XYθ、倍率、非正交 | 高阶下垂与局部波纹 |
| 分区 / Map | 大视场局部残差 | 工艺过程中继续变化的热漂移 |
模型阶数越高，不代表结果一定越好。Mark 数量、分布、识别稳定性和可执行机构的自由度必须与模型匹配，否则只是在软件里拟合出一张无法真正补偿的误差图。
误差如何变成显示缺陷
掩膜偏移会造成 RGB 材料偏离设计像素，典型后果包括色偏、亮度不均、串色和边缘 Mura。若误差沿面板位置逐渐增大，应优先检查倍率与热膨胀；若中心正常、边缘异常，要关注掩膜张网、夹持与下垂；若偏差随时间单向漂移，则要把温度场和腔体热稳态纳入分析。
建议的六步闭环
- 腔外建立相机内参、畸变和运动坐标标定。
- 腔内用稳定参考件校正真空与温度条件下的系统偏差。
- 多点识别掩膜与基板 Mark，输出置信度和残差图。
- 先做刚体补偿，再判断是否需要倍率或 Map 补偿。
- 控制接近、吸附与张紧过程，避免对准后再次变形。
- 用沉积后计量结果反推模型，不用对准机自身读数替代产品验证。
对 OLED 来说，视觉识别只是入口，真正困难的是让大尺寸薄片在真空、热和近接条件下仍保持同一套几何关系。